此器件为N 沟道、60V耐压、内阻7.7mΩ、PDFN5*6封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为N 沟道、60V耐压、内阻5.5mΩ、DPAK封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,高频DC-DC转换、电机驱动等应用领域。
此器件为 100V、6.0mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为 115V、9.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为 P 沟道、-30V耐压、7.9mΩ内阻、DFN8L(0303)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足负载开关、电池保护板...
此器件为 P 沟道、-30V耐压、10.8mΩ内阻、SOP8L封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足负载开关、电池保护板等应用领域...
此器件为 P 沟道、-30V耐压、21.6mΩ内阻、SOP8L封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足负载开关、电池保护板等应用领域...
此器件为 N 沟道、20V耐压、2.6mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护等应...
此器件为25V、2.5mΩ、PDFN5*6封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电池保护板等应用领域
此器件为 N 沟道、30V耐压、9.5mΩ内阻、SOP8L双通道封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护/负载开关...
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